SIHB22N60ET5-GE3
Производитель Номер продукта:

SIHB22N60ET5-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIHB22N60ET5-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Подробное описание:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

12786630
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIHB22N60ET5-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1920 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
227W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SIHB22

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
800

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
FCB20N60FTM
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2398
Номер части
FCB20N60FTM-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.61
Тип замещения
Direct
Номер детали
STB28NM60ND
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1427
Номер части
STB28NM60ND-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.07
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STB21N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1748
Номер части
STB21N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.31
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IXFA22N65X2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
250
Номер части
IXFA22N65X2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.56
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPB60R180P7ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2501
Номер части
IPB60R180P7ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.88
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIS698DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 6.9A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIHP17N60D-GE3

MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB

vishay-siliconix

SIHA22N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220

vishay-siliconix

SIS414DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8