Производитель Номер продукта:
SIHB24N65EFT1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHB24N65EFT1-GE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 650V
Подробное описание:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
2741 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977784
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHB24N65EFT1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
156mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2774 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
742-SIHB24N65EFT1-GE3CT
742-SIHB24N65EFT1-GE3DKR
742-SIHB24N65EFT1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR9024PBF-BE3
P-CHANNEL 60V
SQ3461EV-T1_BE3
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
SI2304BDS-T1-BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
