Производитель Номер продукта:
SIHD6N65E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHD6N65E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
2875 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786709
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHD6N65E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
820 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
78W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SIHD6
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
SIHD6N65E-GE3TRINACTIVE
SIHD6N65E-GE3TR-DG
SIHD6N65E-GE3CT-DG
SIHD6N65E-GE3TR
SIHD6N65E-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHG44N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC
SQD19P06-60L_GE3
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
SIDR608DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
