Производитель Номер продукта:
SIHF30N60E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHF30N60E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Подробное описание:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 37W (Tc) Through Hole
Инвентаризация:
2979 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786617
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHF30N60E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
125mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2600 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
37W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
SIHF30
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
SIHF30N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHF30N60E-GE3DKR
SIHF30N60E-GE3DKR-DG
742-SIHF30N60E-GE3
SIHF30N60E-GE3CT
SIHF30N60E-GE3CT-DG
SIHF30N60E-GE3TR
SIHF30N60E-GE3-DG
SIHF30N60E-GE3TR-DG
SIHF30N60E-GE3TRINACTIVE
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIR166DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SISS60DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
SIHP16N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
