Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SIHF7N60E-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHF7N60E-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
Подробное описание:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12916527
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHF7N60E-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
680 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
31W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220 Full Pack
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
SIHF7
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SIHF7N60E-E3
HTML Спецификация
SIHF7N60E-E3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SIHF7N60EE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STF10NM60N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
553
Номер части
STF10NM60N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.34
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
R6007ENX
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
129
Номер части
R6007ENX-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.92
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FCPF7N60YDTU
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3222
Номер части
FCPF7N60YDTU-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.02
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
SPA07N60C3XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
487
Номер части
SPA07N60C3XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.90
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
TK12A60D(STA4,Q,M)
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
54
Номер части
TK12A60D(STA4,Q,M)-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.15
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUM70N04-07L-E3
MOSFET N-CH 40V 70A TO263
SIR432DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8
SIHF15N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
BUK969R3-100E,118
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK