Производитель Номер продукта:
SIHFR320-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHFR320-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 400 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
2954 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12918800
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHFR320-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
400 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SIHFR320
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIHFR320-GE3-DG
742-SIHFR320-GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRFR320PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2827
Номер части
IRFR320PBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.65
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI8451DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 10.8A 6MICROFOOT
SI1071X-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F
NTD4909NA-35G
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
