Производитель Номер продукта:
SIHG039N60EF-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHG039N60EF-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 600 V 61A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
490 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920552
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHG039N60EF-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
EF
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
40mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
126 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4323 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
357W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SIHG039
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
2266-SIHG039N60EF-GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7884BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
PSMN8R7-80BS,118
MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
SIHG100N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC
