Производитель Номер продукта:
SIHG080N60E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHG080N60E-GE3-DG
Описание:
E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
Подробное описание:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
304 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12950358
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHG080N60E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
80mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2557 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
227W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
742-SIHG080N60E-GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHH080N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
SIS176LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
SIR510DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
