Производитель Номер продукта:
SIHG22N65E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHG22N65E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 22A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
12964780
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHG22N65E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2415 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
227W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SIHG22
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STW28N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
96
Номер части
STW28N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.56
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PJP18N20_T0_00001
TO-220AB, MOSFET
2N7002K_R1_00001
SOT-23, MOSFET
SQJQ148ER-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
