Производитель Номер продукта:
SIHG24N65EF-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHG24N65EF-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
12920393
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHG24N65EF-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
156mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2774 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SIHG24
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPW60R165CPFKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
200
Номер части
IPW60R165CPFKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.54
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FCH170N60
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
11513
Номер части
FCH170N60-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.97
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQ1421EDH-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
SIHP690N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220AB
SIHFL9014TR-GE3
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
