SIHG24N80AEF-GE3
Производитель Номер продукта:

SIHG24N80AEF-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIHG24N80AEF-GE3-DG

Описание:

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Подробное описание:
N-Channel 800 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC

Инвентаризация:

396 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12974714
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIHG24N80AEF-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
EF
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
195mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1889 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
208W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
500
Другие названия
742-SIHG24N80AEF-GE3

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FDMC7678-L701

PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3

onsemi

NTDV20P06LT4G-VF01

PFET DPAK 60V 15.5A 130R

nexperia

PMV52ENER

PMV52ENE/SOT23/TO-236AB

onsemi

NVTYS9D6P04M8LTWG

MV8 40V LL SINGLE PCH L