Производитель Номер продукта:
SIHG35N60EF-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHG35N60EF-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
12919103
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHG35N60EF-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
EF
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
97mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2568 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SIHG35
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
SIHG35N60EF-GE3CTINACTIVE
SIHG35N60EF-GE3CT
SIHG35N60EF-GE3DKRINACTIVE
SIHG35N60EF-GE3TR
SIHG35N60EF-GE3TR-DG
SIHG35N60EF-GE3DKR
SIHG35N60EF-GE3DKR-DG
SIHG35N60EF-GE3CT-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXKH47N60C
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
141
Номер части
IXKH47N60C-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
14.94
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4408DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
SIR182DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
SQM100N02-3M5L_GE3
MOSFET N-CH 20V 100A TO263
