Производитель Номер продукта:
SIHG47N60E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHG47N60E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
440 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12960087
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHG47N60E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
64mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9620 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
357W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SIHG47
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRL530
MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
SIA418DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
SI7784DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
