Производитель Номер продукта:
SIHG80N60E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHG80N60E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 600 V 80A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
12787674
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHG80N60E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
30mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
443 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6900 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
520W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SIHG80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STW88N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1062
Номер части
STW88N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
11.14
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJQ100EL-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
SUA70090E-E3
MOSFET N-CH 100V 42.8A TO220
SIS443DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
