SIHH085N60EF-T1GE3
Производитель Номер продукта:

SIHH085N60EF-T1GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIHH085N60EF-T1GE3-DG

Описание:

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Подробное описание:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 184W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Инвентаризация:

5960 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13002455
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIHH085N60EF-T1GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
EF
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
85mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2733 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
184W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 8 x 8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
SIHH085

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIHH085N60EF-T1GE3TR
742-SIHH085N60EF-T1GE3DKR
742-SIHH085N60EF-T1GE3CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NVBG025N065SC1

SIC MOS D2PAK-7L 650V

goford-semiconductor

G700P06J

P-60V,-23A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-

vishay-siliconix

SIHG150N60E-GE3

E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,