SIHH250N60EF-T1GE3
Производитель Номер продукта:

SIHH250N60EF-T1GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIHH250N60EF-T1GE3-DG

Описание:

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Подробное описание:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Инвентаризация:

3050 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12987558
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIHH250N60EF-T1GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
EF
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
250mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
915 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
89W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 8 x 8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIHH250N60EF-T1GE3CT
742-SIHH250N60EF-T1GE3TR
742-SIHH250N60EF-T1GE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
goford-semiconductor

18N20

MOSFET N-CH 200V 18A TO-252

diotec-semiconductor

MMFTP2319

MOSFET SOT23 -40V -4.2A 0.08OHM

diotec-semiconductor

DI100N04D1-AQ

MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W

nexperia

PMX700ENZ

PMX700ENZ