Производитель Номер продукта:
SIHJ7N65E-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHJ7N65E-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 650 V 7.9A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12921164
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHJ7N65E-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
598mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
820 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
96W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIHJ7
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIHJ7N65E-T1-GE3CT
SIHJ7N65E-T1-GE3TR
SIHJ7N65E-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK9629-100B,118
MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK
DI9942T
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
FDC6392S
MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6
