Производитель Номер продукта:
SIHK055N60E-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHK055N60E-T1-GE3-DG
Описание:
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Подробное описание:
N-Channel 600 V 42A (Tc) 236W (Tc) Surface Mount PowerPAK®10 x 12
Инвентаризация:
1988 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12997405
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHK055N60E-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
56mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3504 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
236W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK®10 x 12
Упаковка / Чехол
8-PowerBSFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
742-SIHK055N60E-T1-GE3TR
742-SIHK055N60E-T1-GE3CT
742-SIHK055N60E-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FBG04N30BC
GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
25P06
MOSFET P-CH 60V 25A TO-252
SQA600CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
