Производитель Номер продукта:
SIHP105N60EF-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHP105N60EF-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
12918191
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHP105N60EF-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
EF
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
102mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1804 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
208W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SIHP105
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SIHG105N60EF-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
463
Номер части
SIHG105N60EF-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.84
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI3493DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
SQD25N06-22L_T4GE3
MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
SQS482EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
