Производитель Номер продукта:
SIHP12N60E-BE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHP12N60E-BE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
350 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12945834
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHP12N60E-BE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
937 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
147W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SIHP12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
742-SIHP12N60E-BE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF720PBF-BE3
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
SI1441EDH-T1-BE3
MOSFET P-CH 20V 4A/4A SC70-6
IRF840BPBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
