Производитель Номер продукта:
SIHP17N80E-BE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHP17N80E-BE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 800 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
12970007
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHP17N80E-BE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2408 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
208W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SIHP17
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
742-SIHP17N80E-BE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SIHP17N80E-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1000
Номер части
SIHP17N80E-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.07
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQ4431EY-T1_BE3
MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
PJP60R540E_T0_00001
600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
PJQ4408P-AU_R2_000A1
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
