Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SIHP21N65EF-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHP21N65EF-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12787533
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHP21N65EF-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2322 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
208W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SIHP21
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SIHP21N65EF-GE3
HTML Спецификация
SIHP21N65EF-GE3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP25N60M2-EP
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1008
Номер части
STP25N60M2-EP-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.19
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
TK17E65W,S1X
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
12
Номер части
TK17E65W,S1X-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.35
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP31N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1095
Номер части
STP31N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.77
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP20N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
945
Номер части
STP20N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.36
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIR112DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
SIHP22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
SIHA15N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
SUP50020EL-GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB