SIHP22N60AE-BE3
Производитель Номер продукта:

SIHP22N60AE-BE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIHP22N60AE-BE3-DG

Описание:

N-CHANNEL 600V
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB

Инвентаризация:

1946 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13000439
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIHP22N60AE-BE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1451 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
179W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
742-SIHP22N60AE-BE3DKRINACTIVE
742-SIHP22N60AE-BE3CTINACTIVE
742-SIHP22N60AE-BE3
742-SIHP22N60AE-BE3TR-DG
742-SIHP22N60AE-BE3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
goford-semiconductor

60N06

N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M

goford-semiconductor

G6P06

P60V,RD(MAX)<96M@-10V,RD(MAX)<14

diodes

DMTH4014LPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

taiwan-semiconductor

TSM80N950CH

800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER