Производитель Номер продукта:
SIHP240N60E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHP240N60E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
409 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12787333
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHP240N60E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
240mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
795 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
78W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SIHP240
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SIHP240N60E-GE3CT
SIHP240N60E-GE3DKR-DG
SIHP240N60E-GE3CT-DG
SIHP240N60E-GE3TR
SIHP240N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHP240N60E-GE3TR-DG
SIHP240N60E-GE3TRINACTIVE
SIHP240N60E-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHB21N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB
SIHB120N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
SQP90P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO220AB