Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SIHP30N60AEL-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHP30N60AEL-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12786205
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHP30N60AEL-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
EL
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
120mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2565 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SIHP30
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SIHP30N60AEL-GE3CT
SIHP30N60AEL-GE3DKR
SIHP30N60AEL-GE3DKRINACTIVE
SIHP30N60AEL-GE3TR
SIHP30N60AEL-GE3TR-DG
SIHP30N60AEL-GE3CT-DG
SIHP30N60AEL-GE3TRINACTIVE
SIHP30N60AEL-GE3DKR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP40N65M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
37
Номер части
STP40N65M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.57
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
AOTF42S60L
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1270
Номер части
AOTF42S60L-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.89
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP33N65M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
712
Номер части
STP33N65M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.70
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP35N60DM2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STP35N60DM2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.54
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP34N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
241
Номер части
STP34N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.82
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQS415ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
SQ2301ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
SIHP30N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
SUD50N025-06P-E3
MOSFET N-CH 25V 78A TO252