Производитель Номер продукта:
SIHP7N60E-BE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHP7N60E-BE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 600V
Подробное описание:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
1990 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977854
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHP7N60E-BE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
680 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
78W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
742-SIHP7N60E-BE3
742-SIHP7N60E-BE3TR-DG
742-SIHP7N60E-BE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJ860EP-T1_BE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SIHD11N80AE-T4-GE3
N-CHANNEL 800V
SQS482EN-T1_BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
