SIHS36N50D-GE3
Производитель Номер продукта:

SIHS36N50D-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIHS36N50D-GE3-DG

Описание:

D SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Подробное описание:
N-Channel 500 V 36A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247AC

Инвентаризация:

564 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12949190
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIHS36N50D-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
D
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
130mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3233 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
446W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
742-SIHS36N50D-GE3

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIHFPS40N60K-GE3

POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @

vishay-siliconix

SIHD5N80AE-GE3

E SERIES POWER MOSFET DPAK (TO-2

vishay-siliconix

SIHS90N65E-GE3

E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,

vishay-siliconix

SIHP17N80AEF-GE3

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST