Производитель Номер продукта:
SIJ450DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIJ450DP-T1-GE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
Подробное описание:
N-Channel 45 V 36A (Ta), 113A (Tc) 4.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12958712
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIJ450DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
45 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
36A (Ta), 113A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5920 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
4.8W (Ta), 48W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIJ450DP-T1-GE3DKR
742-SIJ450DP-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPTC019N10NM5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
SQJQ140E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
MCP20N70-BP
MOSFET N-CH
