Производитель Номер продукта:
SIJ462ADP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIJ462ADP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 60 V 15.8A (Ta), 39.3A (Tc) 3.6W (Ta), 22.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
11348 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12967120
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIJ462ADP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15.8A (Ta), 39.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1235 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIJ462
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIJ462ADP-T1-GE3TR
742-SIJ462ADP-T1-GE3CT
742-SIJ462ADP-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTD600N80S3Z
MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE
SIHB17N80E-T1-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
RRS075P03Z00TB1
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
