Производитель Номер продукта:
SIJ800DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIJ800DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 40 V 20A (Tc) 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12787035
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIJ800DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2400 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
4.2W (Ta), 35.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIJ800
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHP065N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
SIRA62DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK
SIHG61N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
