Производитель Номер продукта:
SIJA58ADP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIJA58ADP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 40 V 32.3A (Ta), 109A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
5785 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920279
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIJA58ADP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32.3A (Ta), 109A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.65mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3030 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 56.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIJA58
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIJA58ADP-T1-GE3DKR-DG
SIJA58ADP-T1-GE3DKR
742-SIJA58ADP-T1-GE3TR
SIJA58ADP-T1-GE3TR-DG
742-SIJA58ADP-T1-GE3DKR
742-SIJA58ADP-T1-GE3CT
SIJA58ADP-T1-GE3CT-DG
SIJA58ADP-T1-GE3CT
SIJA58ADP-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHF6N40D-E3
MOSFET N-CH 400V 6A TO220
SI3483DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.7A 6TSOP
SI4451DY-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 10A 8SO
