Производитель Номер продукта:
SIJH112E-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIJH112E-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Инвентаризация:
1510 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12948730
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIJH112E-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8050 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 8 x 8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
SIJH112
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
742-SIJH112E-T1-GE3DKR
742-SIJH112E-T1-GE3TR
742-SIJH112E-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STB12NM50FDT4
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
IRFI9530GPBF
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220-3
C3M0032120J1
1200V 32MOHM SIC MOSFET