Производитель Номер продукта:
SIJH5700E-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIJH5700E-T1-GE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Подробное описание:
N-Channel 150 V 17A (Ta), 174A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Инвентаризация:
12987365
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIJH5700E-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Ta), 174A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7500 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 8 x 8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 8 x 8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
742-SIJH5700E-T1-GE3CT
742-SIJH5700E-T1-GE3TR
742-SIJH5700E-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDD4243-G
FDD4243-G
AUIRFC8407TR
AUIRFC8407 - 30V-250V N-CHANNEL
G65P06F
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220F
