Производитель Номер продукта:
SIJH600E-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIJH600E-T1-GE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 60 V 37A (Ta), 373A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Инвентаризация:
876 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12967435
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIJH600E-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
37A (Ta), 373A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.92mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
212 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9950 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 8 x 8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 8 x 8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
742-SIJH600E-T1-GE3DKR
742-SIJH600E-T1-GE3CT
742-SIJH600E-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SJ462-T1-AZ
P-CHANNEL POWER MOSFET
UF3SC065030D8S
SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
2SK1567-E
N-CHANNEL POWER MOSFET
