Производитель Номер продукта:
SIR1309DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR1309DP-T1-GE3-DG
Описание:
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Подробное описание:
P-Channel 30 V 19.1A (Ta), 65.7A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
5162 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12976043
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR1309DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3250 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIR1309DP-T1-GE3TR
742-SIR1309DP-T1-GE3DKR
742-SIR1309DP-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIDR500EP-T1-RE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
SQA411CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
SQJQ130EL-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
