SIR165DP-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SIR165DP-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIR165DP-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Подробное описание:
P-Channel 30 V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентаризация:

16189 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786466
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIR165DP-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen III
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
138 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4930 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
69.4W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR165

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIR165DP-T1-GE3CT
SIR165DP-T1-GE3TR
SIR165DP-T1-GE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SQS462EN-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SUM110N10-09-E3

MOSFET N-CH 100V 110A TO263

vishay-siliconix

SQD90P04-9M4L_GE3

MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

vishay-siliconix

SIHB24N65ET5-GE3

MOSFET N-CH 650V 24A TO263