Производитель Номер продукта:
SIR178DP-T1-RE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR178DP-T1-RE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 20 V 100A (Ta), 430A (Tc) 6.3W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12953875
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR178DP-T1-RE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Ta), 430A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
310 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+12V, -8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
12430 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.3W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR178
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIR178DP-T1-RE3DKR
742-SIR178DP-T1-RE3CT
742-SIR178DP-T1-RE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RQ3E160ADTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
17994
Номер части
RQ3E160ADTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.23
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTMFSC010N08M7
MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
IRFIBF20G
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
IRFP460APBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
