Производитель Номер продукта:
SIR484DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR484DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 20 V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12787770
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR484DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.3mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
830 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR484
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIR484DP-T1-GE3TR
SIR484DP-T1-GE3CT
SIR484DP-T1-GE3DKR
SIR484DP-T1-GE3-DG
SIR484DPT1GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SIR172ADP-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2689
Номер части
SIR172ADP-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.13
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
VP0808B-2
MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
SIB433EDK-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
VP0808B
MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
