SIR5623DP-T1-RE3
Производитель Номер продукта:

SIR5623DP-T1-RE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIR5623DP-T1-RE3-DG

Описание:

P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Подробное описание:
P-Channel 60 V 10.5A (Ta), 37.1A(Tc) 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентаризация:

12000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12999093
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIR5623DP-T1-RE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.5A (Ta), 37.1A(Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
24mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1575 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR5623

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIR5623DP-T1-RE3CT
742-SIR5623DP-T1-RE3DKR
742-SIR5623DP-T1-RE3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM085N03PQ33

30V, 52A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM4NB60CH

600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM240N03CX6

30V, 6.5A, SINGLE N-CHANNEL POWE

littelfuse

IXFP13N60X3

DISCRETE MOSFET 13A 600V X3 TO22