Производитель Номер продукта:
SIR5708DP-T1-RE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR5708DP-T1-RE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Подробное описание:
N-Channel 150 V 9.5A (Ta), 33.8A (Tc) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12992563
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR5708DP-T1-RE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.5A (Ta), 33.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
23mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
975 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIR5708DP-T1-RE3CT
742-SIR5708DP-T1-RE3DKR
742-SIR5708DP-T1-RE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RS6R060BHTB1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4875
Номер части
RS6R060BHTB1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.40
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TP65H070G4PS
GANFET N-CH 650V 29A TO220
G80N03K
N30V, 80A,RD<6.5M@10V,VTH1.0V~2.
CMS13N06H8-HF
MOSFET N-CH 60V 56A 8DFN
