Производитель Номер продукта:
SIR580DP-T1-RE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR580DP-T1-RE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 80 V 35.8A (Ta), 146A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12950694
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR580DP-T1-RE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen V
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35.8A (Ta), 146A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4100 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIR580DP-T1-RE3CT
742-SIR580DP-T1-RE3TR
742-SIR580DP-T1-RE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN26D0UFB4-7
MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
ZVN4424GQTA
MOSFET N-CH 240V SOT223 T&R
ISC010N04NM6ATMA1
TRENCH <= 40V
