Производитель Номер продукта:
SIR680ADP-T1-RE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR680ADP-T1-RE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 30.7A/125A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 80 V 30.7A (Ta), 125A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
6144 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13271167
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR680ADP-T1-RE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30.7A (Ta), 125A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.88mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4415 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR680
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIR680ADP-T1-RE3CT
742-SIR680ADP-T1-RE3DKR
742-SIR680ADP-T1-RE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTA1R4N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
IXFN90N170SK
SICFET N-CH 1700V 90A SOT227B
IXFP16N85X
IXFP16N85X