Производитель Номер продукта:
SIR698DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR698DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 100 V 7.5A (Tc) 3.7W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
9715 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12916823
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR698DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
195mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
210 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.7W (Ta), 23W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR698
Технический паспорт и документы
Чертежи изделий
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIR698DPT1GE3
SIR698DP-T1-GE3DKR
SIR698DP-T1-GE3CT
SIR698DP-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJ418EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
SI4712DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SO
SI2301BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
