SIR812DP-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SIR812DP-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIR812DP-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентаризация:

12786676
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIR812DP-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.45mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
335 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10240 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR812

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIR812DP-T1-GE3DKR
SIR812DPT1GE3
SIR812DP-T1-GE3CT
SIR812DP-T1-GE3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
RS1E350GNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2500
Номер части
RS1E350GNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.02
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RS1E350BNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
810
Номер части
RS1E350BNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.65
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
CSD17312Q5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Texas Instruments
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6167
Номер части
CSD17312Q5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.89
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
SIRA80DP-T1-RE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
15704
Номер части
SIRA80DP-T1-RE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.59
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIS184DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK

vishay-siliconix

SQD40031EL_GE3

MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA

vishay-siliconix

SQJA96EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIDR610DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK