Производитель Номер продукта:
SIR826DP-T1-RE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR826DP-T1-RE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12920515
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR826DP-T1-RE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2900 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR826
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIS322DNT-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
FQP85N06
MOSFET N-CH 60V 85A TO220-3
SIHB24N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
