Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SIR878DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR878DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 5W (Ta), 44.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12920382
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR878DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1250 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 44.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR878
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SIR878DP-T1-GE3
HTML Спецификация
SIR878DP-T1-GE3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIR878DP-T1-GE3CT
SIR878DPT1GE3
SIR878DP-T1-GE3DKR
SIR878DP-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SIR878BDP-T1-RE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
13036
Номер части
SIR878BDP-T1-RE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.56
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STL60N10F7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2720
Номер части
STL60N10F7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.51
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
CSD19534Q5A
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Texas Instruments
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
17145
Номер части
CSD19534Q5A-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.35
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
CSD19534Q5AT
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Texas Instruments
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
9101
Номер части
CSD19534Q5AT-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.63
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7856ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
SUP90N08-7M7P-E3
MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
SIDR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
SI2305ADS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3