Производитель Номер продукта:
SIR882BDP-T1-RE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR882BDP-T1-RE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 16.5A (Ta), 67.5A (Tc) 5W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
5697 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12945162
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR882BDP-T1-RE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16.5A (Ta), 67.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3762 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 83.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR882
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIR882BDP-T1-RE3DKR
742-SIR882BDP-T1-RE3CT
742-SIR882BDP-T1-RE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDC637ANNB5E023A
MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
SISS52DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
SIHB17N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
