Производитель Номер продукта:
SIRA10DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIRA10DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
6000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786111
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIRA10DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2425 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 40W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIRA10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Чертежи изделий
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIRA10DP-T1-GE3CT
SIRA10DPT1GE3
SIRA10DP-T1-GE3TR
SIRA10DP-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUM90N08-6M2P-E3
MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
SQM50028EM_GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7
SQM200N04-1M7L_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
