Производитель Номер продукта:
SIRA20BDP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIRA20BDP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 25 V 82A (Ta), 335A (Tc) 6.3W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
10195 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12948261
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIRA20BDP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
82A (Ta), 335A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+16V, -12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9950 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.3W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIRA20
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIRA20BDP-T1-GE3TR
742-SIRA20BDP-T1-GE3DKR
742-SIRA20BDP-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7469ADP-T1-RE3
MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK
SIR681DP-T1-RE3
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
SQJ147ELP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
