Производитель Номер продукта:
SIRA34DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIRA34DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 3.3W (Ta), 31.25W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12917374
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIRA34DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.3W (Ta), 31.25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIRA34
Технический паспорт и документы
Чертежи изделий
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIRA34DP-T1-GE3DKR
SIRA34DP-T1-GE3CT
SIRA34DP-T1-GE3-DG
SIRA34DP-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SIRA18ADP-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2543
Номер части
SIRA18ADP-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.11
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUP90220E-GE3
MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB
SIHA22N60EL-E3
MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220
SIHW73N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AD